Micron宣布开始提供其第三代低延时DRAM初期工程(RLDRAM 3内存)样品。第三代低延时DRAM内存是一种高带宽的内存技术，支持网络信息的高效传输。它专门为高性能网络应用程序量身定做，可支持需要连续读写作业或完全随机存取的高端路由器及交换机，因此对40千兆和100千兆以太网(GbE)，包括缓冲、检测和查找表作业而言都是最理想的选择。除此之外，第三代低延时DRAM内存在速度、密度、延迟时间和耗能方面也都有大幅改善。
IP电视和视频点播这类基于互联网的视频服务不断扩增，加上移动应用程序和云计算的兴起，使得网络基础设施的效率必须不断提高，以适应在线传输的数据量的需求。第三代低延时DRAM内存为网络客户提供结合了高带宽和低延迟时间的解决方案，支持如100 GbE等更高的协定速度。
第三代低延时DRAM内存可持续维持高达2133 Mb／s的数据速率。并提供业界最低随机存取延迟时间10ns，另通过应用1.2V IO电源和1.35V内核电压提高用电能效。
Micron也宣布，ISSI将成为其第三代低延时DRAM内存的另一家供应商，以确保满足市场货量需求，并与网络客户建立长远关系。
Micron预计第三代低延时DRAM内存将于2011年下半年开始量产。
